TEXAS INSTRUMENTS - CSD25301W1015 - 场效应管 单N沟道 20V 6DSBGA
制造商:TEXAS INSTRUMENTS
库存编号:
制造商编号:CSD25301W1015
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2770
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 8.60
价格:
库存编号:
制造商编号:CSD25301W1015
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2770
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 8.60
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 8.60 |
| 10 - 99 | CNY 6.60 |
| 100+ | CNY 5.80 |
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-2.2A
- 电压, Vds 最大:-20V
- 开态???阻, Rds(on):62mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-8V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DSBGA
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DSBGA
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:2.2A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.75V
产品属性:
重量(公斤):0.0001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-2.2A
- 电压, Vds 最大:-20V
- 开态???阻, Rds(on):62mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-8V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DSBGA
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DSBGA
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:2.2A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.75V

