TEXAS INSTRUMENTS - CSD25401Q3 - 场效应管单N沟道 20V 8SON

制造商：TEXAS INSTRUMENTS
库存编号：
制造商编号：CSD25401Q3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国440
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 18.90
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 18.90
10 - 99	CNY 14.60
100+	CNY 10.80

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-60A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):8.7mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-12V
功耗:2.8W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SON
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SON
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.85V

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-60A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):8.7mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-12V
功耗:2.8W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SON
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SON
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.85V

TEXAS INSTRUMENTS - CSD25401Q3 - 场效应管 单N沟道 20V 8SON

TEXAS INSTRUMENTS - CSD25401Q3 - 场效应管单N沟道 20V 8SON