简体中文SANYO - CPH3431-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.6A CPH3
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：CPH3431-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国155
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.12
价格：
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制造商编号：CPH3431-TL-E
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.12
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 11.12 |
| 25 - 99 | CNY 9.37 |
| 100 - 249 | CNY 7.63 |
| 250 - 499 | CNY 6.43 |
| 500+ | CNY 5.45 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:600mA
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):2.4ohm
- 电??? @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1W
- 封装类型:CPH3
- 封装类型:CPH3
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:0.6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:600mA
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):2.4ohm
- 电??? @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1W
- 封装类型:CPH3
- 封装类型:CPH3
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:0.6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
