简体中文SANYO - 3LP02C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：3LP02C-TB-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国85
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.14
价格：
库存编号：
制造商编号：3LP02C-TB-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国85
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.14
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.14 |
| 25 - 99 | CNY 3.49 |
| 100 - 249 | CNY 2.83 |
| 250 - 499 | CNY 2.40 |
| 500+ | CNY 2.07 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-200mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):3.1ohm
- 电压 @ Rds测量:-4V
- 电压, Vgs 最高:-10V
- 功耗:0.25W
- 封装类型:SOT-89
- 封装类型:CP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.2A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-200mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):3.1ohm
- 电压 @ Rds测量:-4V
- 电压, Vgs 最高:-10V
- 功耗:0.25W
- 封装类型:SOT-89
- 封装类型:CP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.2A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
