简体中文SANYO - 2SK4126 - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 15A TO247
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：2SK4126
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国33
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 38.70
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK4126
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国33
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 38.70
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 38.70 |
| 25 - 99 | CNY 32.70 |
| 100 - 249 | CNY 26.60 |
| 250 - 499 | CNY 22.35 |
| 500+ | CNY 18.86 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:15A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):0.72ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:TO-3PB
- 封装类型:TO-3PB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:15A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
产品属性：
重量（公斤）：0.0058
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:15A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):0.72ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:TO-3PB
- 封装类型:TO-3PB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:15A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
