简体中文SANYO - MCH6646-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 2A MCPH6
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：MCH6646-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国31
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.16
价格：
库存编号：
制造商编号：MCH6646-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国31
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.16
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 3.16 |
| 25 - 99 | CNY 2.62 |
| 100 - 249 | CNY 2.18 |
| 250 - 499 | CNY 1.85 |
| 500+ | CNY 1.53 |
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电??, Rds(on):0.16ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:0.8W
- 封装类型:MCPH
- 封装类型:MCPH6
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:2A
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电??, Rds(on):0.16ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:0.8W
- 封装类型:MCPH
- 封装类型:MCPH6
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:2A
