简体中文SANYO - FTD2017A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A TSSOP8
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：FTD2017A-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国20
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15.91
价格：
库存编号：
制造商编号：FTD2017A-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国20
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15.91
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 15.91 |
| 25 - 99 | CNY 13.52 |
| 100 - 249 | CNY 11.01 |
| 250 - 499 | CNY 9.27 |
| 500+ | CNY 7.85 |
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极??:N
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):23mohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:1.3W
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:6A
产品属性：
重量（公斤）：0.00004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极??:N
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):23mohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:1.3W
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:6A
