SANYO - ATP203-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 75A ATPAK
制造商:SANYO
库存编号:
制造商编号:ATP203-TL-H
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国90
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 17.33
价格:
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最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 17.33
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 17.33 |
| 25 - 99 | CNY 14.72 |
| 100 - 249 | CNY 11.88 |
| 250 - 499 | CNY 10.03 |
| 500+ | CNY 8.50 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):8.2mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:50W
- 封装类型:ATPAK
- 封装类型:ATPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
产品属性:
重量(公斤):0.00027
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):8.2mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:50W
- 封装类型:ATPAK
- 封装类型:ATPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V

