简体中文SANYO - ATP207-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 65A ATPAK
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：ATP207-TL-H
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国80
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.33
价格：
库存编号：
制造商编号：ATP207-TL-H
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国80
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.33
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 17.33 |
| 25 - 99 | CNY 14.72 |
| 100 - 249 | CNY 11.88 |
| 250 - 499 | CNY 10.03 |
| 500+ | CNY 8.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:65A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):9.1mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:50W
- 封装类型:ATPAK
- 封装类型:ATPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:65A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.00027
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:65A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):9.1mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:50W
- 封装类型:ATPAK
- 封装类型:ATPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:65A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
