简体中文DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：DMN601DWK-7
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2910
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 6.87
价格：
库存编号：
制造商编号：DMN601DWK-7
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2910
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 6.87
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 6.87 |
| 25 - 99 | CNY 5.01 |
| 100 - 249 | CNY 3.92 |
| 250 - 499 | CNY 3.16 |
| 500+ | CNY 2.73 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 开态电阻, Rds(on):2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:SOT-363
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-363
- 晶体管类型:Enhancement
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:305mA
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 开态电阻, Rds(on):2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:SOT-363
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-363
- 晶体管类型:Enhancement
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:305mA
