简体中文TOSHIBA - TPC8021-H(TE12LQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 11A 30V SOP8
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：TPC8021-H(TE12LQ)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国8
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 10.40
价格：
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制造商编号：TPC8021-H(TE12LQ)
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 10.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 10.40 |
| 25 - 99 | CNY 9.20 |
| 100 - 249 | CNY 8.30 |
| 250+ | CNY 7.70 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.017ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1.9W
- 封装类型:SOP
- 封装类型:SOP
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:11A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.017ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1.9W
- 封装类型:SOP
- 封装类型:SOP
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:11A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
