TOSHIBA - SSM3J15TE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 100A 30V SOT23
制造商:TOSHIBA
库存编号:
制造商编号:SSM3J15TE(TE85LF)
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , ???国3755
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 2.50
价格:
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多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 2.50
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 2.50 |
25 - 99 | CNY 2.10 |
100 - 249 | CNY 1.90 |
250+ | CNY 1.80 |
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-100mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):12ohm
- 电压 @ Rds测量:-4V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:100mW
- 封装类型:SOT-23
- 封装类型:TESM
- 晶体管类型:Small Signal MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-100mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):12ohm
- 电压 @ Rds测量:-4V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:100mW
- 封装类型:SOT-23
- 封装类型:TESM
- 晶体管类型:Small Signal MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V