TOSHIBA - SSM6K06FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 1.1A 20V SOT23

制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：SSM6K06FU(TE85LF)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2903
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.29
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 4.29
25 - 99	CNY 3.84
100 - 249	CNY 3.38
250+	CNY 3.16

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:300mW
封装类型:US6
封装类型:US6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:1.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V

产品属性：

重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:300mW
封装类型:US6
封装类型:US6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:1.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V