简体中文SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：ECH8619-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国585
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.56
价格：
库存编号：
制造商编号：ECH8619-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国585
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.56
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 7.56 |
| 25 - 99 | CNY 6.45 |
| 100 - 249 | CNY 5.23 |
| 250 - 499 | CNY 4.45 |
| 500+ | CNY 3.67 |
描述信息：
- 晶体管极性:NP
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):93mohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:ECH8
- 针脚数:8
- 封装类型:ECH8
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:1.5A
产品属性：
重量（公斤）：0.00002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:NP
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):93mohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:ECH8
- 针脚数:8
- 封装类型:ECH8
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:1.5A
