STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220

制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP26NM60N
库存状态：上海 0 , 新加坡10, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 55.87
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 55.87
25 - 99	CNY 43.91
100 - 249	CNY 35.20
250 - 499	CNY 30.89
500+	CNY 28.00

描述信息：

晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V

产品属性：

重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V