STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管功率MOSFET 40V 1.7A DPAK

制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：VND1NV04TR-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国4785
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.91
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 11.91
10 - 99	CNY 9.36
100 - 249	CNY 7.51
250 - 499	CNY 6.59
500+	CNY 5.97

描述信息：

晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V

产品属性：

重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V

STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK

STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管功率MOSFET 40V 1.7A DPAK