简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF3808SPBF - 场效应管 MOSFET N D2-PAK
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF3808SPBF
库存状态：上海 0 , 新加坡8, 英国181
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 31.19
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF3808SPBF
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 31.19
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 31.19 |
| 25 - 99 | CNY 19.53 |
| 100 - 249 | CNY 14.57 |
| 250+ | CNY 13.72 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:106A
- 电压, Vds 最大:75V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:200W
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SMD标号:F3808
- 功率, Pd:200W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:430mJ
- 封装类型:D2-PAK
- 封装类型, 替代:D2-PAK
- 时间, trr 典型值:93ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电容值, Ciss 典型值:5310pF
- 电流, Id 连续:106A
- 电流, Idm 脉冲:550A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.00144
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:106A
- 电压, Vds 最大:75V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:200W
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SMD标号:F3808
- 功率, Pd:200W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:430mJ
- 封装类型:D2-PAK
- 封装类型, 替代:D2-PAK
- 时间, trr 典型值:93ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电容值, Ciss 典型值:5310pF
- 电流, Id 连续:106A
- 电流, Idm 脉冲:550A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
