VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLD110PBF - 场效应管 MOSFET N HEXDIP

制造商：VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRLD110PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国2873
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.40
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 13.40
25 - 99	CNY 11.30
100 - 249	CNY 9.30
250 - 499	CNY 6.90
500+	CNY 6.37

描述信息：

晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最???:100V
开态电阻, Rds(on):0.54ohm
功耗:1.3W
封装类型:HDIP
功率, Pd:1.3W
封装类型:HEXDIP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V

产品属性：

重量（公斤）：0.00026
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最???:100V
开态电阻, Rds(on):0.54ohm
功耗:1.3W
封装类型:HDIP
功率, Pd:1.3W
封装类型:HEXDIP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V