简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF1902PBF - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF1902PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国92
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.46
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF1902PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国92
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.46
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.46 |
| 25 - 99 | CNY 2.79 |
| 100+ | CNY 2.08 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态???阻, Rds(on):0.085ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:700mV
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:IRF1902PBF
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:17A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态???阻, Rds(on):0.085ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:700mV
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:IRF1902PBF
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:17A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
