INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7468PBF - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF7468PBF
库存状态:上海 0 , 美国2326, 新加坡126, 英国137
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 20.24
价格:
库存编号:
制造商编号:IRF7468PBF
库存状态:上海 0 , 美国2326, 新加坡126, 英国137
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 20.24
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 49 | CNY 20.24 |
| 50 - 99 | CNY 17.20 |
| 100+ | CNY 15.44 |
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:9.4A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开??电阻, Rds(on):0.0155ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:IRF7468PBF
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:9.4A
- 电流, Idm 脉冲:75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:9.4A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开??电阻, Rds(on):0.0155ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:IRF7468PBF
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:9.4A
- 电流, Idm 脉冲:75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V

