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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7471PBF - 场效应管 MOSFET N SO-8

INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7471PBF - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF7471PBF
库存状态:上海 0 , 新加坡30, 英国 0
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 16.08
价格:
数量 单位价格(不含税)
5  - 124 CNY 16.08
125  - 499 CNY 8.13
500  - 999 CNY 8.05
1000+  CNY 7.94

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:10A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.013ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SMD标号:IRF7471PBF
  • 功率, Pd:2.5W
  • 外宽:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部长度/高度:1.75mm
  • 封装类型:SOIC
  • 排距:6.3mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 电流, Idm 脉冲:83A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚格式:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性:

重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:10A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.013ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SMD标号:IRF7471PBF
  • 功率, Pd:2.5W
  • 外宽:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部长度/高度:1.75mm
  • 封装类型:SOIC
  • 排距:6.3mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 电流, Idm 脉冲:83A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚格式:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V