INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7464PBF - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF7464PBF
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国13
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.38
价格:
库存编号:
制造商编号:IRF7464PBF
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国13
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.38
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 7.38 |
| 25 - 99 | CNY 4.62 |
| 100+ | CNY 3.44 |
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:1.2A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开???电阻, Rds(on):0.73ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 上升时间:9.5ns
- 下降时间:15ns
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:单MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:1.2A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:1.2A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开???电阻, Rds(on):0.73ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 上升时间:9.5ns
- 下降时间:15ns
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:单MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:1.2A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V

