简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7807D1PBF - 场效应管 MOSFET N FETKY SO-8
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF7807D1PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡95, 英国2953
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.48
价格：
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制造商编号：IRF7807D1PBF
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包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.48
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 11.48 |
| 25 - 99 | CNY 8.27 |
| 100 - 499 | CNY 6.14 |
| 500+ | CNY 5.99 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:66A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.025ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:1V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:807D1
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 正向电压 Vf 最大:0.5V
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:8.3A
- 电流, Idm 脉冲:66A
- 电流, If 平均:3.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.2V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:66A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.025ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:1V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:807D1
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 正向电压 Vf 最大:0.5V
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:8.3A
- 电流, Idm 脉冲:66A
- 电流, If 平均:3.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.2V
