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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP3652 - 场效应管 MOSFET N TO-220

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP3652 - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDP3652
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.80
价格：
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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:61A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.014ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:150W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:182mJ
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:150W
  • 时间, trr 典型值:62ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电容值, Ciss 典型值:2880pF
  • 电流, Id 连续:61A
  • 电流, Idm 脉冲:70A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.014ohm
  • 针脚格式: 1G 2+插口 D 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:61A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.014ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:150W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:182mJ
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:150W
  • 时间, trr 典型值:62ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电容值, Ciss 典型值:2880pF
  • 电流, Id 连续:61A
  • 电流, Idm 脉冲:70A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.014ohm
  • 针脚格式: 1G 2+插口 D 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)