简体中文SEMELAB - BUZ900D - 场效应管 MOSFET N TO-3
制造商：SEMELAB
库存编号：
制造商编号：BUZ900D
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国38
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 132.36
价格：
库存编号：
制造商编号：BUZ900D
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国38
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 132.36
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 132.36 |
| 25+ | CNY 95.28 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:16A
- 电压, Vds 最大:160V
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压, Vgs 最高:14V
- 功耗:250W
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:250W
- 器件标记:BUZ900D
- 封装类型:TO-3
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:160V
- 电流, Id 连续:16A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.0115
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:16A
- 电压, Vds 最大:160V
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压, Vgs 最高:14V
- 功耗:250W
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:250W
- 器件标记:BUZ900D
- 封装类型:TO-3
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:160V
- 电流, Id 连续:16A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
