简体中文INFINEON - BSS84P - 场效应管 MOSFET P SOT-23
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：BSS84P
库存状态：上海1810, 新加坡20, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 2.90
价格：
库存编号：
制造商编号：BSS84P
库存状态：上海1810, 新加坡20, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 2.90
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY 2.90 |
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:170mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-1.5V
- 功耗:0.36W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:YBs
- 上升时间:9ns
- 下降时间:34ns
- 功率, Pd:0.36W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:2.6mJ
- 器件标记:BSS84P
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:0.36W
- 时间, trr 典型值:23ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:0.036mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-60V
- 电压变化率 dv/dt:6kV/μs
- 电容值, Ciss 典型值:19pF
- 电流, Id 连续:0.17A
- 电流, Idm 脉冲:0.68A
- 电流, Idss 最大:1μA
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
产品属性：
重量（公斤）：0.00003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:170mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-1.5V
- 功耗:0.36W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:YBs
- 上升时间:9ns
- 下降时间:34ns
- 功率, Pd:0.36W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:2.6mJ
- 器件标记:BSS84P
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:0.36W
- 时间, trr 典型值:23ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:0.036mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-60V
- 电压变化率 dv/dt:6kV/μs
- 电容值, Ciss 典型值:19pF
- 电流, Id 连续:0.17A
- 电流, Idm 脉冲:0.68A
- 电流, Idss 最大:1μA
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
