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INFINEON - BUZ30A - 场效应管 MOSFET N TO-220

INFINEON - BUZ30A - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：BUZ30A
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 18.10
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 18.10
25  - 99 CNY 14.10
100  - 999 CNY 12.20
1000+  CNY 9.74

订购
描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:21A
  • 电压, Vds 最大:200V
  • 开态电阻, Rds(on):0.13ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:125W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:125W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:450mJ
  • 器件标记:BUZ30A
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:125W
  • 时间, trr 典型值:180ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:26°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1400pF
  • 电流, Id 连续:21A
  • 电流, Idm 脉冲:84A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.13ohm
  • 针脚格式:1G, (2+Tab)D, 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:21A
  • 电压, Vds 最大:200V
  • 开态电阻, Rds(on):0.13ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:125W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:125W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:450mJ
  • 器件标记:BUZ30A
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:125W
  • 时间, trr 典型值:180ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:26°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1400pF
  • 电流, Id 连续:21A
  • 电流, Idm 脉冲:84A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.13ohm
  • 针脚格式:1G, (2+Tab)D, 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V