INFINEON - BUZ31 - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商:INFINEON
库存编号:
制造商编号:BUZ31
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 16.93
价格:
库存编号:
制造商编号:BUZ31
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包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 16.93
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 16.93 |
| 25 - 99 | CNY 13.01 |
| 100 - 249 | CNY 10.24 |
| 250 - 499 | CNY 9.95 |
| 500+ | CNY 9.76 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:14.5A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:75W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:95W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:200mJ
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:95W
- 时间, trr 典型值:170ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电容值, Ciss 典型值:840pF
- 电流, Id 连续:14.5A
- 电流, Idm 脉冲:58A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.2ohm
- 针脚格式:1G, (2+Tab)D, 3S
- 针脚配置:a
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:14.5A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:75W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:95W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:200mJ
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:95W
- 时间, trr 典型值:170ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电容值, Ciss 典型值:840pF
- 电流, Id 连续:14.5A
- 电流, Idm 脉冲:58A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.2ohm
- 针脚格式:1G, (2+Tab)D, 3S
- 针脚配置:a
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V

