简体中文INFINEON - SPB20N60C3 - 场效应管 MOSFET COOLMOS N D2-PAK
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：SPB20N60C3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 39.50
价格：
库存编号：
制造商编号：SPB20N60C3
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 39.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 39.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:20.7A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:208W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:20N60C3
- 功率, Pd:208W
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:20.7A
- 电流, Idm 脉冲:62.1A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:20.7A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:208W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:20N60C3
- 功率, Pd:208W
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:20.7A
- 电流, Idm 脉冲:62.1A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V
