INFINEON - SPP20N60C3 - 场效应管 MOSFET COOLMOS N TO-220
制造商:INFINEON
库存编号:
制造商编号:SPP20N60C3
库存状态:上海53, 新加坡309, 英国760
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 35.60
价格:
库存编号:
制造商编号:SPP20N60C3
库存状态:上海53, 新加坡309, 英国760
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 35.60
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 35.60 |
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:20.7A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:208W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:208W
- 封装类型:TO-220
- 总功率, Ptot:208W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:650V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:20.7A
- 电流, Idm 脉冲:62.1A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:20.7A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:208W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:208W
- 封装类型:TO-220
- 总功率, Ptot:208W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:650V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:20.7A
- 电流, Idm 脉冲:62.1A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V

