简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HUF75345G3 - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：HUF75345G3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国452
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 30.60
价格：
库存编号：
制造商编号：HUF75345G3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国452
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 30.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 30.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:215W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:325W
- 封装类型:TO-247
- 封装类型, 替代:SOT-249
- 总功率, Ptot:325W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:75A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电???, Vgs th 典型值:4V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:215W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:325W
- 封装类型:TO-247
- 封装类型, 替代:SOT-249
- 总功率, Ptot:325W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:75A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电???, Vgs th 典型值:4V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
