简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS2582 - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS2582
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 20.20
价格：
库存编号：
制造商编号：FDS2582
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 20.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 20.20 |
| 10 - 99 | CNY 14.50 |
| 100 - 249 | CNY 11.55 |
| 250+ | CNY 8.82 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:4.1A
- 电压, Vds 最大:150V
- 开态电阻, Rds(on):0.057ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDS2582
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:150V
- 电压, Vds 典型值:150V
- 电流, Id 连续:4.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最???:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:4.1A
- 电压, Vds 最大:150V
- 开态电阻, Rds(on):0.057ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDS2582
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:150V
- 电压, Vds 典型值:150V
- 电流, Id 连续:4.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最???:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
