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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS3692 - 场效应管 MOSFET N SO-8

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS3692 - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDS3692
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国4086
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.10
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 10.10
10  - 99 CNY 7.20
100  - 249 CNY 5.78
250+  CNY 4.41

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.08ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS3692
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:100V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电流, Id 连续:4.5A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性:

重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.08ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS3692
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:100V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电流, Id 连续:4.5A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)