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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6616TR1 - 场效应管 MOSFET N DIRECTFET MX

INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6616TR1 - 场效应管 MOSFET N DIRECTFET MX
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF6616TR1
库存状态:上海 0 , 新加坡22, 英国250
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 21.92
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 21.92
10  - 99 CNY 13.70
100  - 499 CNY 10.09
500+  CNY 9.00

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:19A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):4.6mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.8W
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:MX
  • SMD标号:6616
  • 功率, Pd:2.8W
  • 封装类型:MX
  • 时间, trr 典型值:15ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:40V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电容值, Ciss 典型值:3765pF
  • 电流, Id 连续:19A
  • 电流, Idm 脉冲:150A
  • 结温, Tj 最低:-40°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
产品属性:

重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:19A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):4.6mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.8W
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:MX
  • SMD标号:6616
  • 功率, Pd:2.8W
  • 封装类型:MX
  • 时间, trr 典型值:15ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:40V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电容值, Ciss 典型值:3765pF
  • 电流, Id 连续:19A
  • 电流, Idm 脉冲:150A
  • 结温, Tj 最低:-40°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V