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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6617TR1 - 场效应管 MOSFET N DIRECTFET ST

INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6617TR1 - 场效应管 MOSFET N DIRECTFET ST
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF6617TR1
库存状态:上海33, 新加坡 0 , 英国814
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 20.52
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 20.52
25  - 99 CNY 12.85
100  - 249 CNY 9.58
250+  CNY 9.14

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:14A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):8.1mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.1W
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:ST
  • SMD标号:6617
  • 功率, Pd:2.1W
  • 封装类型:ST
  • 时间, trr 典型值:16ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电容值, Ciss 典型值:1300pF
  • 电流, Id 连续:14A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 结温, Tj 最低:-40°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.35V
产品属性:

重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:14A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):8.1mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.1W
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:ST
  • SMD标号:6617
  • 功率, Pd:2.1W
  • 封装类型:ST
  • 时间, trr 典型值:16ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电容值, Ciss 典型值:1300pF
  • 电流, Id 连续:14A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 结温, Tj 最低:-40°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.35V