简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6691TR1 - 场效应管 MOSFET N DIRECTFET MT
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF6691TR1
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国37
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 35.08
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF6691TR1
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国37
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 35.08
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 35.08 |
| 25 - 99 | CNY 21.96 |
| 100+ | CNY 16.38 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:32A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):1.8mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:2.8W
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:MT
- SMD标号:6691
- 功率, Pd:2.8W
- 封装类型:MT
- 时间, trr 典型值:32ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:20V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电容值, Ciss 典型值:6580pF
- 电流, Id 连续:32A
- 电流, Idm 脉冲:260A
- 结温, Tj 最低:-40°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:32A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):1.8mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:2.8W
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:MT
- SMD标号:6691
- 功率, Pd:2.8W
- 封装类型:MT
- 时间, trr 典型值:32ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:20V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电容值, Ciss 典型值:6580pF
- 电流, Id 连续:32A
- 电流, Idm 脉冲:260A
- 结温, Tj 最低:-40°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
