国内专业的IC销售商 --中其伟业科技有限公司
简体中文

NXP - BSS83 - 场效应管 MOSFET N SOT-143

NXP - BSS83 - 场效应管 MOSFET N SOT-143
制造商:NXP
库存编号:
制造商编号:BSS83
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国3434
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 17.56
价格:
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 17.56
25  - 99 CNY 12.65
100  - 999 CNY 8.65
1000+  CNY 5.62

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:50mA
  • 电压, Vds 最大:10V
  • 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:0.23W
  • 封装类型:SOT-143
  • 功率, Pd:0.23W
  • 封装类型:SOT-143
  • 总功率, Ptot:0.23W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:10V
  • 电容值, Ciss 典型值:0.6pF
  • 电流, Id 连续:0.05A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2V
产品属性:

重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:50mA
  • 电压, Vds 最大:10V
  • 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:0.23W
  • 封装类型:SOT-143
  • 功率, Pd:0.23W
  • 封装类型:SOT-143
  • 总功率, Ptot:0.23W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:10V
  • 电容值, Ciss 典型值:0.6pF
  • 电流, Id 连续:0.05A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2V