简体中文NXP - BST82 - 场效应管 MOSFET N SOT-23
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BST82
库存状态：上海85, 新加坡296, 英国29786
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 2.52
价格：
库存编号：
制造商编号：BST82
库存状态：上海85, 新加坡296, 英国29786
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 2.52
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 2.52 |
| 25 - 99 | CNY 2.06 |
| 100 - 249 | CNY 1.52 |
| 250+ | CNY 1.49 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:0.19A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):10ohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:20V
- ??耗:830mW
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 功率, Pd:0.83W
- 封装类型:SOT-23
- 总功率, Ptot:0.83W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:0.19A
- 电流, Idm 脉冲:0.8A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1g, 2s, 3d
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:0.19A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):10ohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:20V
- ??耗:830mW
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 功率, Pd:0.83W
- 封装类型:SOT-23
- 总功率, Ptot:0.83W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:0.19A
- 电流, Idm 脉冲:0.8A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1g, 2s, 3d
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
