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NXP - PH2520U - 场效应管 MOSFET N 20V LFPAK

NXP - PH2520U - 场效应管 MOSFET N 20V LFPAK
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PH2520U
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国290
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 22.80
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 22.80
25  - 99 CNY 16.40
100+  CNY 11.40

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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:100A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):2.1mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:62.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-669
  • N沟道栅极电荷 Qg:78nC
  • 功率, Pd:62.5W
  • 外宽:5mm
  • 外部深度:6.2mm
  • 外部长度/高度:1.2mm
  • 封装类型:SOT-669
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:100A
  • 电流, Idm 脉冲:300A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:2.1mohm
  • 通态电阻, Rds on 最大:2.7mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.45V
产品属性：

重量（公斤）：0.00011
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:100A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):2.1mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:62.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-669
  • N沟道栅极电荷 Qg:78nC
  • 功率, Pd:62.5W
  • 外宽:5mm
  • 外部深度:6.2mm
  • 外部长度/高度:1.2mm
  • 封装类型:SOT-669
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:100A
  • 电流, Idm 脉冲:300A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:2.1mohm
  • 通态电阻, Rds on 最大:2.7mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.45V