简体中文NXP - PH7030L - 场效应管 MOSFET N 30V LFPAK
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PH7030L
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国245
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.60
价格：
库存编号：
制造商编号：PH7030L
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国245
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 12.60 |
| 25 - 99 | CNY 9.08 |
| 100+ | CNY 7.14 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:68A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):9.6mohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:62.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-669
- N沟道栅极电荷 Qg:12nC
- 功率, Pd:62.5W
- 外宽:5mm
- 外部深度:6.2mm
- 外部长度/高度:1.2mm
- 封装类型:SOT-669
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:68A
- 电流, Idm 脉冲:220A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:9.6mohm
- 通态电阻, Rds on 最大:11mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00011
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:68A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):9.6mohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:62.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-669
- N沟道栅极电荷 Qg:12nC
- 功率, Pd:62.5W
- 外宽:5mm
- 外部深度:6.2mm
- 外部长度/高度:1.2mm
- 封装类型:SOT-669
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:68A
- 电流, Idm 脉冲:220A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:9.6mohm
- 通态电阻, Rds on 最大:11mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
