NXP - PHD82NQ03LT - 场效应管 MOSFET N 30V D-PAK
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):8mohm
- 封装类型:D-PAK
- SMD标号:PHD82NQ03LT
- 功率, Pd:136W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电流, Id 连续:75A
- 电流, Idm 脉冲:240A
- 表面安装器件:表面安装
产品属性:
重量(公斤):0.0004
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):8mohm
- 封装类型:D-PAK
- SMD标号:PHD82NQ03LT
- 功率, Pd:136W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电流, Id 连续:75A
- 电流, Idm 脉冲:240A
- 表面安装器件:表面安装

