简体中文NXP - PHP63NQ03LT - 场效应管 MOSFET N 30V TO-220
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PHP63NQ03LT
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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制造商编号：PHP63NQ03LT
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描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:68.9A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.013ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:111W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- SMD标号:PHP63NQ03LT
- 功率, Pd:111W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:68.9A
- 电流, Idm 脉冲:240A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:68.9A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.013ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:111W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- SMD标号:PHP63NQ03LT
- 功率, Pd:111W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:68.9A
- 电流, Idm 脉冲:240A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
