简体中文NXP - PHT8N06LT - 场效应管 MOSFET N SOT-223
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PHT8N06LT
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国25553
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.39
价格：
库存编号：
制造商编号：PHT8N06LT
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国25553
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.39
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 7.39 |
| 25 - 99 | CNY 5.58 |
| 100 - 249 | CNY 4.44 |
| 250+ | CNY 4.06 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:7.5A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.08ohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:13V
- 功耗:8.3W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-223
- 功率, Pd:1.8W
- 封装类型:SOT-223
- 总功率, Ptot:1.8W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:7.5A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.08ohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:13V
- 功耗:8.3W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-223
- 功率, Pd:1.8W
- 封装类型:SOT-223
- 总功率, Ptot:1.8W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
