简体中文NXP - PHU11NQ10T - 场效应管 MOSFET N I-PAK
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PHU11NQ10T
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：PHU11NQ10T
库存状态：停产
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最小订单量：1
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价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.15ohm
- 功耗:57.7W
- 封装类型:I-PAK
- SMD标号:PHU11NQ10T
- 上升时间:23ns
- 下降时间:7.2ns
- 功率, Pd:57.7W
- 封装类型:I-PAK
- 封装类型, 替代:TO-251
- 引线长度:9.8mm
- 引脚节距:2.285mm
- 时间, t off:11.5ns
- 时间, t on:5.5ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电流, Id 连续:10.9A
- 电流, Idm 脉冲:43.6A
产品属性：
重量（公斤）：0.00031
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.15ohm
- 功耗:57.7W
- 封装类型:I-PAK
- SMD标号:PHU11NQ10T
- 上升时间:23ns
- 下降时间:7.2ns
- 功率, Pd:57.7W
- 封装类型:I-PAK
- 封装类型, 替代:TO-251
- 引线长度:9.8mm
- 引脚节距:2.285mm
- 时间, t off:11.5ns
- 时间, t on:5.5ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电流, Id 连续:10.9A
- 电流, Idm 脉冲:43.6A
