NXP - PIP3118-B - 场效应管 MOSFET N 智能型
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电阻, Rds(on):28mohm
- 封装类型:D2-PAK
- 功率, Pd:90W
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:Power MOS TOPFET
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:20A
- 表面安装器件:表面安装
产品属性:
重量(公斤):0.00144
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电阻, Rds(on):28mohm
- 封装类型:D2-PAK
- 功率, Pd:90W
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:Power MOS TOPFET
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:20A
- 表面安装器件:表面安装

