NXP - PIP3119-P - 场效应管 MOSFET N 智能型
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电阻, Rds(on):28mohm
- 封装类型:TO-220AB
- 功率, Pd:90W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:保护MOSFET
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:20A
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电阻, Rds(on):28mohm
- 封装类型:TO-220AB
- 功率, Pd:90W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:保护MOSFET
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:20A

