NXP - PMV213SN - 场效应管 MOSFET N SOT-23
制造商:NXP
库存编号:
制造商编号:PMV213SN
库存状态:上海7200, 新加坡6185, 英国25100
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 4.87
价格:
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制造商编号:PMV213SN
库存状态:上海7200, 新加坡6185, 英国25100
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 4.87
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 4.87 |
| 25 - 99 | CNY 3.51 |
| 100 - 999 | CNY 2.40 |
| 1000+ | CNY 1.56 |
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:1.9A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 功率, Pd:2W
- 器件标记:PMV213SN
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:2W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:1.9A
- 电流, Idm 脉冲:7.6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈???电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性:
重量(公斤):0.00003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:1.9A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 功率, Pd:2W
- 器件标记:PMV213SN
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:2W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:1.9A
- 电流, Idm 脉冲:7.6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈???电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V

