简体中文NXP - PMV45EN - 场效应管 MOSFET N SOT-23
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PMV45EN
库存状态：上海1520, 新加坡85, 英国25027
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 3.19
价格：
库存编号：
制造商编号：PMV45EN
库存状态：上海1520, 新加坡85, 英国25027
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 3.19
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 3.19 |
| 25 - 99 | CNY 2.30 |
| 100 - 999 | CNY 1.57 |
| 1000+ | CNY 1.02 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:5.4A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.035ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 功率, Pd:2W
- 器件标记:PMV45EN
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:2W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:5.4A
- 电流, Idm 脉冲:21.6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电??, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:5.4A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.035ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 功率, Pd:2W
- 器件标记:PMV45EN
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:2W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:5.4A
- 电流, Idm 脉冲:21.6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电??, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
