简体中文NXP - PSMN009-100P - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PSMN009-100P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国514
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 40.32
价格：
库存编号：
制造商编号：PSMN009-100P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国514
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 40.32
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 40.32 |
| 25 - 99 | CNY 29.05 |
| 100+ | CNY 19.85 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.0075ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:230W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- SMD标号:PSMN009-100P
- 功率, Pd:230W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:75A
- 电流, Idm 脉冲:400A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.0075ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:230W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- SMD标号:PSMN009-100P
- 功率, Pd:230W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:75A
- 电流, Idm 脉冲:400A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
