简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP2532 - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDP2532
库存状态：上海10, 新加坡 0 , 英国1774
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 32.80
价格：
库存编号：
制造商编号：FDP2532
库存状态：上海10, 新加坡 0 , 英国1774
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 32.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 32.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:79A
- 电压, Vds 最大:150V
- 开态电阻, Rds(on):14mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:310W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDP2532
- 功率, Pd:310W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:150V
- 电流, Id 连续:79A
- 电流, Idm 脉冲:430A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.00203
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:79A
- 电压, Vds 最大:150V
- 开态电阻, Rds(on):14mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:310W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDP2532
- 功率, Pd:310W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:150V
- 电流, Id 连续:79A
- 电流, Idm 脉冲:430A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
